近日,中國電科48所中電科三代半(湖南)公司在超寬禁帶半導體裝備關鍵技術領域取得突破,成功研制大功率金剛石MPCVD首臺樣機。

金剛石導熱性能可達銅的5倍以上,是破解激光器、微波芯片、AI算力芯片、大功率電力電子模塊等關鍵器件散熱瓶頸的核心材料。當前,大尺寸金剛石生長普遍面臨效率低、應力高、均勻性差等行業共性難題。48所依托國家第三代半導體技術創新中心(湖南)平臺優勢,快速突破高功率高穩定微波傳輸與耦合、大尺寸金剛石晶圓生長與應力控制等關鍵技術,自主研制出大功率金剛石MPCVD裝備樣機。目前,該裝備已進入用戶應用驗證階段。
下一步,48所將持續深化“裝備-材料-器件-應用”協同發展模式,加快金剛石半導體核心裝備技術迭代與產業化進程,為我國金剛石半導體未來產業筑牢堅實裝備根基。